国内碳化硅产业链企业




今年的半导体产业,碳化硅(SiC)相当火爆。

不久前,英飞凌宣布将以1.39亿美元收购创业公司Siltectra,并收购后者的创新技术ColdSpilt,用于切割碳化硅晶圆,进一步增加碳化硅市场,X-Fab,日本罗姆和其他公司较早。与此同时,它宣布将扩大其碳化硅生产能力,并且碳化硅行业的重要参与者已经开始准备。

那么国内的SiC市场是什么?事实上,今年有关碳化硅的消息越来越多。近日,山东天悦碳化硅材料项目在浏阳高新区启动,总投资30亿元。第一相主要产生碳化硅导电基板,第二相主要产生功能器件。时间更进一步,今年9月,核心灯光潮湿而国内。第一条碳化硅IPM生产线正式投产......

热量越来越多,国内碳化硅行业目前的状况如何?哪些其他制造商正在应对碳化硅行业?

国内碳化硅行业发展现状

碳化硅是第三代半导体的主要代表之一。它在电动汽车,电源,军事和航空航天等领域具有显着的性能优势,如大禁带宽度,高器件工作温度,临界击穿电场强度,导热性等。这些领域的普及为许多行业开辟了新的应用可能性,并得到了业界的高度期待。

从产业链的角度来看,碳化硅包括单晶衬底,外延片,器件设计,器件制造等方面,但目前全球碳化硅市场基本上被国外公司垄断。

在全球市场,单晶基板公司主要包括Cree,道康宁,SiCrystal,II-VI,新日铁和住友,Norstel等。外延片公司主要包括道康宁,II-VI,Norstel,Cree,Roma,三菱电机。英飞凌等在设备方面,大部分全球市场份额被英飞凌,Cree,罗马和意法半导体等少数公司所分割。

由于芯片性能与材料,结构设计和制造工艺之间的密切关系,许多公司仍然选择采用IDM模式。例如,ROHM和Cree都覆盖碳化硅衬底,外延晶片和器件。模块都是产业链,其中Cree约占基板市场的40%,约占设备市场的23%。事实上,整个碳化硅行业尚未进入成熟阶段,但国际厂商已经在大规模生产和生产多环节的瓶颈方面取得突破,并且已经开辟了新的战斗,而国内碳化硅行业仍在它的初期。国际上仍然存在差距。

如今,SiC器件已应用于国内光伏逆变器,车载充电器,充电桩等,但国内市场上大多数碳化硅功率器件依赖进口,主要用于Cree,Infineon和Roma。

然而,近年来,中国已初步建立了比较完整的碳化硅产业链体系,包括IDM制造商中科时代电气,世纪金光,泰科天润,杨杰电子等,单晶基板企业山东天悦,天基达,同光水晶等,外延晶圆公司天宇半导体,昊天天成等,部分厂商都取得了进展。

就单晶衬底而言,可以在中国实现4英寸衬底的商业化生产。山东天悦,天科和达和同光水晶已完成6英寸基板的研发。 CLP设备已经发展了6英寸半。绝缘基板。

在外延片方面,国内天天成和天宇半导体可提供4-6英寸外延片,13个CLP部门和55个内部供应外延片生产部门。

在器件方面,国内600-3300VSiCSBD已开始批量应用,部分公司已开发出1200V/50ASiCMOSFET;泰科天润已建成国内首条碳化硅器件生产线,SBD产品覆盖600V-3300V的电压范围; 6英寸碳化硅生产线也于今年1月成功试生产。

在模块方面,中国已开发出1200V/50-400A全SiC功率模块和600-1200V/100-600A混合SiC功率模块;今年9月18日,厦门新光润泽的首条国产碳化硅IPM生产线正式投产。

总的来说,中国最初形成了涵盖各个方面的碳化硅产业链。在中央政府政策和市场需求的支持下,国内企业正在努力追赶。

国内碳化硅产业链企业盘点

01单晶基板山东天悦先进材料科技有限公司

山东天悦先进材料科技有限公司成立于2010年10月。山东天悦晶体材料有限公司是其控股公司。山东天悦是山东大学晶体研究所的产业化基地。它主要从事宽带隙碳化硅半导体衬底的研发和生产。它广泛应用于电力传输,航空航天,新能源汽车,半导体照明,5G通信等技术领域。 。

截至目前,山东天悦已投资15亿元建设碳化硅单晶基板材料产业化基地。 2017年,山东天悦自主研发出新型高纯半绝缘基板材料。目前,批量生产的产品主要是4英寸。此外,其4H导电碳化硅基板材料主要有2英寸,3英寸和4英寸。而且6英寸。山东天悦还自主研发了6英寸N型碳化硅基板材料,现在该产品正处于固化阶段。

今年5月,山东天悦董事长宗彦民在接受媒体采访时表示,山东天悦的碳化硅基板订单已于明年下半年上市。 11月中旬,山东天悦碳化硅材料项目在浏阳高新区启动,总投资30亿元。第一相主要产生碳化硅导电基板,第二相主要产生功能器件。

北京天科赫达半导体有限公司

北京天科赫达半导体有限公司成立于2006年9月,由新疆天府集团和中国科学院物理研究所成立,专注于第三代半导体碳化硅晶圆的开发,生产和销售。在北京总部,天科赫达拥有一个研发中心和一个完整的碳化硅晶圆生产基地,用于晶体生长 - 晶体加工 - 晶圆加工 - 清洁检测。新疆子公司主要进行碳化硅晶体生长。

天科Heda首次在中国建立了完整的碳化硅晶圆生产线,实现了碳化硅晶体的产业化,打破了长期的国外技术封锁和垄断,并分批供应2至4英寸的碳化硅超过60家国内研究机构。单晶衬底(包括半绝缘体,导电,沿C轴和偏角等)已形成年产70,000件的生产线。今年7月,有消息显示天科Heda的6英寸碳化硅晶圆正在准备中,尚未批量生产。2018年10月19日,天科赫达正式签署了在徐州经济开发区投资的碳化硅晶圆项目合同。

河北同光水晶有限公司

河北同光水晶有限公司成立于2012年,主要从事第三代半导体材料碳化硅基板的研发和生产。同形晶体的主要产品包括4英寸和6英寸导电,半绝缘碳化硅衬底,其中4英寸衬底已达到世界先进水平,并且已经建立了完整的碳化硅衬底生产线。

同光水晶承担了国家863计划“大功率GaN电子器件用大尺寸SiC衬底的制备和外延技术研究”和国家重点研发计划“战略先进电子材料”重点专业“中低压SiC材料,器件及其在电动汽车充电设备演示中的应用,前者已通过验收。

2017年10月,同光水晶与清华大学,北京大学宽带半导体研究中心,中国科学院半导体研究所,河北大学合作,共同打造“第三代半导体材料测试平台”。

中科港岩节能科技有限公司

中科港岩节能科技有限公司成立于2016年,是由新业集团,国宏华业投资有限公司和公司主要员工共同组建的中央企业控股的混合改革公司。中科节能与上海达格,国宏华业及四家地方国有企业共同成立了“中科节能碳化硅增长技术重点实验室”,后来被北京市发展和改革委员会批准为“第三 - 中国半导体制造业关键共性技术“。城市工程实验室,由上述单位开发的升华方法,4英寸导电碳化硅晶体生长工艺稳定,可以获得高质量,大尺寸的碳化硅晶体。

2017年5月,中科能源宣布投资40亿元与联合国宏华工业等4-5个合作单位合作,打造中国最大的碳化硅晶体基板生产基地,正式启动碳化硅行业。项目。

2017年7月,中科能源与青岛莱西市和国宏中景签署合作协议,投资建设碳化硅晶体生长线项目。项目总投资10亿元。该项目分为两个阶段。第一期投资约5亿元人民币。预计于2019年6月完工并投入生产。完成后,每年可生产5万片4英寸N型碳化硅晶体基板和5,000件。一种4英寸高纯半绝缘碳化硅晶体基板;第二阶段投资约5亿元人民币。完成后,可生产50,000个6英寸N型碳化硅晶体基板和5,000个4英寸高纯半绝缘型。碳化硅晶体衬底片。02外延膜

昊天天成电子科技(厦门)有限公司

昊天天成电子科技(厦门)有限公司成立于2011年3月,是一家集硅碳外延片研发,生产,销售于一体的中美合资高科技企业。它形成了3,4和6英寸的完全碳化。硅半导体外延片生产线,满足600V,1200V,1700V器件制造的需要。

据官方网站消息,2012年3月,天天成宣布已开始接受商用碳化硅半导体外延片订单,成为中国第一家提供工业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延片的厂商。 2014年4月,昊天天成正式接受商用6英寸碳化硅外延片订单,成为国内首家提供商用6英寸碳化硅外延片的厂商。

郝天成在接受媒体采访时表示,他已经开始实施扩大产能的计划。预计到今年年底完成二期工程的土地建设,并在明年上半年逐步释放新产能。预计将实现十倍的容量增长。生产能力为30万件。

东莞天宇半导体科技有限公司

东莞天宇半导体科技有限公司(TYSTC)成立于2009年1月,是中国第一家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发,生产和销售的高新技术企业。

2010年,天宇半导体与中国科学院半导体研究所共同成立“SiC研究所”,共同开发和产业化“第三代半导体碳化硅外延片”,成为世界领先的碳化硅外延生产商晶圆。一。

据媒体报道,2012年,天宇半导体已实现年产2万多个3英寸,4英寸碳化硅外延片的生产能力。目前,它提供6英寸碳化硅外延晶片和各种单极和双极SiC。电力设备和其他产品。

03设备/模块/IDM

中国电子科技集团有限公司

中国电子科技集团有限公司是在信息产业部直属的46家电子研究所和26家全资或控股公司的基础上成立的。它于2002年3月正式上市和运营,主要从事国家军用和民用大型电子产品的生产。信息系统的工程建设,以及主要电子设备,软件,基础组件和功能材料的开发,生产和保障服务。CLP的图2,图13和图55具有碳化硅工业中的相关布局。其中,CLP 2已实现高纯度碳化硅材料和高纯度半绝缘晶片的批量生产。官方网站显示其产品采用N型4H-SiC基板材料和高纯度4H-SiC基板材料;它是中国为数不多的企业单位之一,实现了4-6英寸碳化硅外延生长,芯片设计和制造以及模块封装的整个产业链。其6英寸碳化硅先导试验线已投入运行,其控股子公司扬州国阳电子是“宽带隙电力电子器件国家重点实验室”的重要实体单位,专业从事开发和批量生产。以碳化硅为代表的新型半导体功率模块。现有的一个在2017年投入运行,生产能力为50万/年的模块生产线。

2018年9月,中国电力(山西)电子信息技术创新产业园项目奠定了基础。工业园占地面积1000多亩,投资50亿元,其中包括中国电力(山西)第三代半导体技术创新中心,中国电力科(山西)碳化硅材料产业基地,表示建设电子设备制造,三代半导体产业生态链,通过吸引上游企业,形成产业集聚效应,打造中国最大的碳化硅材料供应基地。

此外,CLP 48成功开发了用于4-6英寸碳化硅材料和器件制造的高温和高能离子注入器,单晶生长炉,外延生长炉等关键设备,并初步应用,并在今年5月。接受科学技术部的批准。

株洲中车时代电器有限公司

株洲中车时代电气有限公司是中国中铁集团的股份制企业。其前身和母公司—— CZ株洲电力机车研究所有限公司成立于1959年。

2011年,CRRC时代电气与中国科学院微电子研究所成立联合研发中心,正式开展碳化硅功率半导体器件研究。 2013年以后,先后获得“国家科技专项”等国家重点工程等国家重点工程; 2016年公司自主研发的碳化硅功率模块成功展示了其在轨道交通和光伏逆变器中的应用。

2017年12月,成功完成了总投资3.5亿元的6英寸碳化硅工业基地的技术调试。 2018年1月,第一批芯片成功生产??。这是中国第一条6英寸碳化硅生产线。得到了国家重点项目的支持,如“02特别项目”和国家发展和改革委员会新材料特别项目。它是南车时代电气的重点投资项目之一,实现了碳化硅二极管和MOSFET芯片的工艺。工艺集成,成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月,前身为中原半导体研究所(国家542工厂),成立于1970年,主要产品为碳化硅高纯粉末,碳化硅单晶片和碳化硅均质化。外延晶圆,GaN基外延晶圆,石墨烯,碳化硅SBD器件,碳化硅MOSFET器件,碳化硅功率模块,IGBT模块等,研究,开发,设计,生产和生产半导体单晶材料,外延,器件和模块销售于一体,通过第三代半导体产业链。

世纪金光于2015年成功开发出第一个碳化硅SBD,并开始建设碳化硅产业链工业生产线。 2016年,第一个碳化硅MOSFET器件研制成功; 2018年2月1日,世纪金光6英寸碳化硅器件生产线顺利通过,中国整个碳化硅产业链首次渗透。

泰科天润半导体科技有限公司

泰科天润成立于2012年,致力于碳化硅功率器件的自主研发,生产,销售和应用。目前,它已在北京建成了第一条完整的4-6英寸碳化硅器件生产线。半导体功率器件的制造工艺在碳化硅外延上实现。

泰科天润的基本核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表,包括碳化硅肖特基二极管,碳化硅MOSFET和各种封装的碳化硅模块,其中600V/5A~50A,1200V /系列碳化硅肖特基二极管等由于5A至50A和1700V/10A已投入批量生产。

此外,泰科天润已成功开发出1200V碳化硅MOSFET功率器件,掌握了碳化硅MOSFET器件设计,关键工艺和制造的全套技术,并成为世界上为数不多的能够提供硅的公司之一。硬质合金MOSFET器件。

厦门新光润泽科技有限公司

厦门新光润泽科技有限公司成立于2016年3月,是一家专业从事第三代半导体碳化硅功率器件和模块产业化和开发的高新技术企业。据悉,2012年,新光润泽通过引进国内外顶尖行业专家,建立了碳化硅芯片研发技术团队,并与西交大,西电共同建立了第三代半导体研发中心。2016年12月,新光润泽第三代半导体碳化硅功率模块产业化项目正式开工建设。 2018年9月18日,新光润泽首条国产碳化硅IPM生产线正式投产。根据最近的消息,该生产线目前处于稳定生产阶段,月生产规模为30万和360万。

扬州扬杰电子科技有限公司

扬州市扬杰电子科技有限公司成立于2006年,专注于功率半导体芯片和器件制造,集成电路封装和测试等产业的发展。主要产品有各类电力电子器件芯片,功率二极管和碳化硅SBD。碳化硅JBS等

2015年3月,扬杰科技与西安电子科技大学签订合同,开展第三代半导体材料和器件的工业应用研究。 2015年4月,扬杰科技通过增资和股权转让收购了国裕电子38.87%的股权。与中国电子科技集团公司第55研究所就碳化硅芯片和模块产品建立了紧密的合作关系。 2015年7月,扬杰科技为碳化硅芯片,器件研发和产业化建设项目募集资金1.5亿元。

今年年中,扬杰科技表示,碳化硅项目正处于包装和拍摄技术积累阶段,正在为建设线的前期开发做准备。

上海展鑫电子科技有限公司

上海兴鑫电子科技有限公司成立于2017年7月,是一家无晶圆厂半导体初创公司,开发基于新型功率器件的高性价比电源IC和应用模块。电驱动系统的小型化,高效率和轻量化提供了完整的半导体解决方案。

2018年5月,上海兴新电子表示,其首个国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆正式上市。据报道,上海兴新电子于2017年10月初完成了工艺,器件和布局设计,从10月到12月完成了初步工艺测试,并于2017年12月正式开始拍摄,成功于2018年5月。碳化硅MOSFET的制造工艺在成熟的6英寸生产线上完成。晶圆级测试结果表明,各种电气参数均达到预期,为进一步优化工艺和器件设计奠定了坚实的基础。环球能源互联网研究院

全球能源互联网研究所前身为国家电网智能电网研究所,是国家电网公司直属的研究机构。它是第一家专门从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端研发机构。

全球能源互联网研究院有限公司在中国建立了第一个高压大功率碳化硅电力电子器件平台,并与科研院所合作,实现了从材料到设备的协调发展,以及关键工艺设备技术如高温离子注入和高温氧化退火。该水平处于世界先进水平,实现了从材料到功率器件开发到电力电子设备应用的协调发展。

今年4月,由全球能源互联网研究院有限公司承办的“高压大功率碳化硅电力电子器件平台工艺开发与器件开发”项目获北京市组织专家组批准市科学技术委员会。

深圳市基础半导体有限公司

深圳市基础半导体有限公司是深圳市青铜科技有限公司与瑞典国家科技研究院Ascatron AB的合资企业。它致力于碳化硅功率器件的研发和产业化。它是深圳第三代半导体研究所的发起人,在深圳清华大学。大学研究院联合成立了“第三代半导体材料与器件研发中心”。

基本半导体官方消息显示,它研究和开发碳化硅器件材料,芯片设计,制造工艺,封装测试,驱动应用等,涵盖了产业链的各个方面,并拥有原创的3DSiC?外延技术可以充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,碳化硅器件在高温应用中具有更高的稳定性。

基于3DSiC技术,今年基础半导体推出了自主研发的650-1700V3DSiC?系列碳化硅肖特基二极管(SiCJBS),生产碳化硅外延片,低掺杂层厚度可达250μm,具有极低的缺陷密度和高均匀性,可生产3.3 kV以上的高压器件和超高压器件10,000伏特。

本文来自:全球半导体观察









时间:2019-01-02 11:15:24 来源:荣一娱乐平台 作者:匿名